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裝備製造

裝備製造
Alta Devices 裝備製造技术


Alta Devices採用漢能自主研發的MOCVD(金屬有機物化學氣相沈積)技術,在單晶砷化鎵晶片上外延生長砷化鎵薄膜,製作電池組件。

與普通MOCVD相比,具有以下特點:
•關鍵硬件設計—MOCVD噴淋頭,基於氣體分佈系統設計,可有效提升氣體的利用率,並保證膜層的生長速率和厚度均勻度。

•基於獨特的快速升降溫系統,能夠快速的加熱和冷卻晶片,生産能力可提升2-3倍。

•其核心機密為大面積外延剝離ELO以重複利用砷化鎵襯底和MOCVD高速沈積技術,使其成為全球唯一具備産業化條件的砷化鎵薄膜技術公司;

•Alta Devices對生産線技術擁有完整的自主知識産權,涉及獨特工藝技術的MOCVD、ELO和Matrix等裝備均由Alta自主設計開發;
•Alta Devices擁有專利192項。

使用了創新的外延層剝離技術,將外延層與晶片完整分離,實現砷化鎵晶片的重複利用,從而顯著降低産品成本。

•利用獨特的外延生長工藝,在砷化镓晶片上生長砷化鎵薄膜外延層;通過物理氣相沈積工藝和電化學沈積工藝,制作金屬電極,用于收集光伏效應産生的電流;通過外延層剝離工藝,實現晶片的重複利用;通過激光切割工藝,形成電池;通過陣列排布,將電池連接形成客戶需要的砷化鎵薄膜太陽能電池陣列。